内存的规格一般按照以下方式书写：

内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。 接下来我们将详细来看看倒是什么是CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD。其中前四项也就是我们常说的内存参数了。

1、CAS：

CAS中文全称为：列地址选通脉冲(Column Address Strobe 或者Column Address Select)，它控制着从收到命令到执行命令的间隔时间，一般在BIOS中可调整的参数为2，2.5，3这三个周期。在内存矩阵中，因为CAS按列地址管理物理地址，因此在稳定的基础上，这个非常重要的参数值越低越好。过程是这样的，在内存阵列中分为行和列，当命令请求到达内存后，首先被触发的是tRAS (Active to Precharge Delay)，数据被请求后需预先充电，一旦tRAS被激活后，RAS才开始在一半的物理地址中寻址，行被选定后，tRCD初始化，最后才通过CAS找到精确的地址。整个过程也就是先行寻址再列寻址。从CAS开始到CAS结束就是现在讲解的CAS延迟了。因为CAS是寻址的最后一个步骤，所以在内存参数中它是最重要的。

2、tRCD：

tRCD是指RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟)，对应于CAS，RAS是指行地址选通脉冲（Row Address Strobe）。CAS和RAS的周期共同决定了内存寻址。RAS（数据请求后首先被激发）和CAS（RAS完成后被激发）并不是连续的，这当中存在着延迟。但是，这并不是一个对系统性能影响很大的参数，其主要原因在于：程序存储数据到内存中是一个持续的过程。在同个程序中一般都会在同一行中寻址，这种情况下就不存在行寻址到列寻址的延迟了。

3、tRP：

tRP指行预充电时间（RAS Precharge Time） ，指的是内存从一个行访问结束到重新开始一个新的行访问的间隔时间。简单而言，在依次经历过tRAS, 然后 RAS, tRCD, 和CAS之后，需要结束当前的状态然后重新开始新的循环，再从tRAS开始。这也是内存工作最基本的原理。如果你从事的任务需要大量的数据变化，例如视频渲染，此时一个程序就需要使用很多的行来存储，tRP的参数值越低表示在不同行切换的速度越快。

4、tRAS：

tRAS指行有效至行预充电时间（Active to Precharge Delay），是指从收到一个请求后到初始化RAS（行地址选通脉冲）真正开始接受数据的间隔时间。这个参数看上去似乎很重要，其实不然。内存访问是一个动态的过程，有时内存非常繁忙，但也有相对空闲的时候，虽然内存访问是连续不断的。tRAS命令是访问新数据的过程，但发生的不多。

以上这四个参数也是大家最想了解的的参数，其实它的执行顺序是由下往上的也就是说执行顺序为：tRAS->tRP->tRCD->CAS。